[发明专利]引线焊接结构、引线焊接方法及半导体器件在审

专利信息
申请号: 201911269007.2 申请日: 2019-12-11
公开(公告)号: CN112951789A 公开(公告)日: 2021-06-11
发明(设计)人: 吴秉桓 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: H01L23/49 分类号: H01L23/49;H01L23/498;H01L21/603
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 石慧
地址: 230000 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 本申请涉及一种引线焊接结构、基于该引线焊接结构的引线焊接方法及通过该引线焊接方法形成的半导体器件。其中,引线焊接结构包括形成于基底内的电路层和依次叠设于电路层上的焊垫、阻挡层和钝化层,阻挡层的硬度大于焊垫的硬度,阻挡层的预设区域内开设有暴露出焊垫的第一窗口且第一窗口未超出预设区域,预设区域的宽度小于打线后的焊球的宽度;钝化层上开设有宽度大于预设区域的第二窗口,通过第二窗口暴露出全部预设区域的第二窗口。通过在钝化层和焊垫之间设置阻挡层,在阻挡层上可设第一窗口并限定阻挡层的开窗范围,打线后的焊球可以覆盖所有第一窗口,使焊球与焊垫焊接的同时,还能避免焊垫溢出。
搜索关键词: 引线 焊接 结构 方法 半导体器件
【主权项】:
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