[发明专利]深沟槽MOSFET终端结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201911269164.3 | 申请日： | 2019-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN112951914A | 公开（公告）日： | 2021-06-11 |
| 发明（设计）人： | 罗志云;王飞;潘梦瑜 | 申请（专利权）人： | 恒泰柯半导体（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/36;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海宏京知识产权代理事务所(普通合伙) 31297 | 代理人： | 崔巍 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中国(*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种深沟槽MOSFET终端结构及其制备方法，深沟槽MOSFET终端结构包括：第一导电类型的衬底；第一导电类型的外延层；多个第一沟槽；第一介质层；第一源极多晶硅层；第二导电类型的第一阱区；多个第二沟槽；第二介质层；第二源极多晶硅层；栅极多晶硅层；栅氧化层及绝缘隔离层。本发明的深沟槽MOSFET终端结构通过在终端保护区域的第一沟槽底部设置第二导电类型的第一阱区作为JTE结构，使得第一沟槽底部的电场得以分散，纵向电场在终端保护区得以横向延伸，有效地提高了深沟槽MOSFET终端结构的耐压特性，终端保护区的耐压高于有源区的耐压，不受有源区耐压的限制，可以有效进行终端保护。 | ||
| 搜索关键词： | 深沟 mosfet 终端 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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