[发明专利]硅基板蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201911269619.1 | 申请日： | 2019-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN111303885B | 公开（公告）日： | 2023-01-13 |
| 发明（设计）人： | 柳浩成;金明炫;文暎善;李浚银;张平和 | 申请（专利权）人： | OCI有限公司 |
| 主分类号： | C09K13/06 | 分类号： | C09K13/06;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 吕琳;宋东颖 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及硅基板蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制造方法，更详细地，涉及通过调节硅基板蚀刻溶液中的硅烷化合物(例如，硅酸)的浓度来在蚀刻硅烷化合物(例如，硅酸)氮化膜时相对于硅氧化膜提高对硅氮化膜的蚀刻选择比的硅基板蚀刻溶液。 | ||
| 搜索关键词： | 硅基板 蚀刻 溶液 使用 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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