[发明专利]扩展温度补偿晶体振荡器低温范围的实现方法及装置有效
| 申请号： | 201911270058.7 | 申请日： | 2019-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN110719084B | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 邓辉;吴伟;彭小芳;李丹 | 申请（专利权）人： | 成都正扬博创电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/17 | 分类号： | H03H9/17;H03H9/02 |
| 代理公司： | 成都乐易联创专利代理有限公司 51269 | 代理人： | 赵何婷 |
| 地址： | 610000 四川省成都市高新区*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了扩展温度补偿晶体振荡器低温范围的实现方法及装置，所述方法包括采用温度传感器检测所述温度补偿晶体振荡器的温度并根据所述温度调节发热件发热实现扩展所述温度补偿晶体振荡器工作的低温范围，同时实施保温措施。本发明通过使用温度传感器采集温度根据温度调节发热件局部加热实现对温度补偿晶体振荡器的工作环境温度扩展，并采取保温措施，在﹣55℃~‑40℃环境温度下，使温度补偿晶体振荡器的局部温度仍然能保持‑40℃以上，克服了普通温度补偿晶体振荡器低于‑40℃时性能指标急剧恶化的缺点，保证了﹣55℃~‑40℃环境温度下温度补偿晶体振荡器的性能指标，同时具有功耗低、体积小、成本低、稳定性好等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 扩展 温度 补偿 晶体振荡器 低温 范围 实现 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.局部加热法扩展温度补偿晶体振荡器低温范围的实现方法，其特征在于包括如下步骤：/n（A）采用温度传感器（3）检测所述温度补偿晶体振荡器（2）的温度；/n（B）根据步骤（A）中所述温度调节发热件（4）加热温度补偿晶体振荡器（2）的局部电路，实现扩展所述温度补偿晶体振荡器（2）工作的低温范围；/n（C）同时对步骤（A）和（B）中所述温度补偿晶体振荡器（2）实施保温措施。/n
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