[发明专利]一种金刚线切割单晶硅片的倒金字塔结构制绒方法在审
| 申请号： | 201911270598.5 | 申请日： | 2019-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN111041562A | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 彭晓晨;管自生;万鹏 | 申请（专利权）人： | 南京纳鑫新材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10;C30B29/06;H01L31/0236;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京挺立专利事务所(普通合伙) 11265 | 代理人： | 石磊 |
| 地址： | 211100 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及太阳能电池技术领域，且公开了一种金刚线切割单晶硅片的倒金字塔结构制绒方法，包括以下步骤；S1、将金刚线切割单晶硅片浸入包括氢氟酸、双氧水、氟化钠和含银离子添加剂混合水溶液中，反应温度为40‑45℃，反应时间为6‑8min。该金刚线切割单晶硅片的倒金字塔结构制绒方法，具备能够降低硅片绒面结构的反射率低，提升光电转换效率，且硅片不需要酸或碱溶液的预处理，减少制绒工艺步骤，节省化学品用量，节省制绒总体时间，提升硅片加工的效率，以及采用化学处理方法对洗脱溶液中的贵金属进行回收，循环利用在制绒环节中，极大减少对贵金属的消耗量，不仅降低重金属对环境的污染，还可显著降低生产成本等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金刚 切割 单晶硅 金字塔结构 方法 | ||
【主权项】：
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