[发明专利]一种芯片引线框架材料用高纯Cu-Al-Ag合金及其制备方法有效
| 申请号： | 201911273669.7 | 申请日： | 2019-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN112981172B | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 杜勇;梁晓新;何霜霜 | 申请（专利权）人： | 昆山微电子技术研究院 |
| 主分类号： | C22C9/01 | 分类号： | C22C9/01;C22C1/04;C22C9/00;B22F3/04;B22F3/105;B22F9/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮 |
| 地址： | 215347 江苏省苏州市昆*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种芯片引线框架材料用高纯Cu‑Al‑Ag合金的制备方法，包括：将铜粉、铝粉和银粉混合球磨得到混合粉体；将混合粉体冷等压成型，得到Cu‑Al‑Ag合金毛坯；将所述Cu‑Al‑Ag合金毛坯放电等离子烧结，得到Cu‑Al‑Ag合金材料。本发明采用是湿化学法制备高纯铜，通过在铜合金中添加Al、Ag成分，冷等静压成型技术制备合金素坯，再结合放电等离子烧结(SPS)技术，不仅可以再较低的温度下制备出铜铝合金材料，而且制备的芯片框架材料，纯度高，导电率高，散热性、强度高，进而满足目前高端芯片框架及封装材料的性能要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 引线 框架 材料 高纯 cu al ag 合金 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆山微电子技术研究院，未经昆山微电子技术研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911273669.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
