[发明专利]一种工作在低电源电压下的电压基准电路在审
| 申请号： | 201911273872.4 | 申请日： | 2019-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN111026221A | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | 项骏;朱敏 | 申请（专利权）人： | 芯创智（北京）微电子有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/567 | 分类号： | G05F1/567 |
| 代理公司： | 北京天悦专利代理事务所(普通合伙) 11311 | 代理人： | 任晓航;杨方 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京经济*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种工作在低电源电压下的电压基准电路，电压基准电路包括：第一PMOS管、第二PMOS管和第三PMOS管，工作在亚阈值区的第一NMOS管和第二NMOS管，第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻，以及第一电源和衬底驱动的运算放大器。本发明通过衬底驱动的运算放大器构成深度负反馈，代替传统高电压裕度的运算放大器，利用工作在亚阈值区的NMOS管来代替传统的三级管，利用NMOS管的阈值电压随深亚微米工艺变小的优势，能够适用于深亚微米低电源电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 工作 电源 压下 电压 基准 电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于芯创智（北京）微电子有限公司，未经芯创智（北京）微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911273872.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
