[发明专利]一种c轴取向生长的TS-1沸石单晶的合成方法有效
| 申请号： | 201911276508.3 | 申请日： | 2019-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN110963499B | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 杨建明;张前;吕剑;余秦伟;王为强;梅苏宁;赵锋伟;李亚妮;袁俊;惠丰;唐晓博 | 申请（专利权）人： | 西安近代化学研究所 |
| 主分类号： | C01B39/08 | 分类号： | C01B39/08 |
| 代理公司： | 中国兵器工业集团公司专利中心 11011 | 代理人： | 赵晓宇 |
| 地址： | 710065 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开一种c轴取向生长的TS‑1沸石单晶的合成方法，包括如下步骤：(1)将模板剂、有机氟源、氢氟酸及水在冰浴条件下搅拌均匀；(2)加入无机碱源并依次逐滴加入钛源和硅源；(3)于80～100℃晶化12～24h，然后再快速转移至160～180℃环境中继续晶化24～72h；(4)将晶化产物抽滤、洗涤、干燥、焙烧，即得一种c轴取向生长的TS‑1沸石单晶。本发明所合成的TS‑1沸石单晶沿c轴方向生长长度可达58μm，沿a、b轴方向生长长度为1.6～8.11μm。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 取向 生长 ts 沸石单晶 合成 方法 | ||
【主权项】：
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