[发明专利]集成闭环式磁场传感器在审
| 申请号： | 201911279203.8 | 申请日： | 2019-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN110865320A | 公开（公告）日： | 2020-03-06 |
| 发明（设计）人： | 刘明;关蒙萌;胡忠强;周子尧;朱家训;吴金根 | 申请（专利权）人： | 珠海多创科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/05 | 分类号： | G01R33/05 |
| 代理公司： | 广东朗乾律师事务所 44291 | 代理人： | 杨焕军 |
| 地址： | 519000 广东省珠海市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 集成闭环式磁场传感器，包括：衬底；设置于所述衬底上的磁阻传感层，所述磁阻传感层上设置有用于向外输出电压信号的输出端；设置于所述磁阻传感层上的绝缘层；设置于所述绝缘层上的磁电复合层，所述磁电复合层包括位于所述绝缘层上的铁磁层和位于所述铁磁层上的压电层，所述铁磁层上设置有用于接收反馈电压的电压加载端。本发明的闭环式磁场传感器，采用磁电薄膜作为传感器的磁场反馈部分，磁电薄膜将电压转化为内部磁场的变化，从而可以在芯片内部形成闭环结构，大幅降低了磁场传感器的重量和体积，同时配合作为磁场的探测部分的磁阻芯片，传感器可以获得高的灵敏度以及大的线性范围，且实现了低功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 闭环 磁场 传感器 | ||
【主权项】：
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