[发明专利]生成具有光发射和/或光接收二极管的器件的方法在审
| 申请号： | 201911281854.0 | 申请日： | 2019-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN111326613A | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 加布里尔·帕瑞斯 | 申请（专利权）人： | 原子能和替代能源委员会 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L31/18;H01L33/44;H01L33/46;H01L31/0216;H01L31/0232;H01L27/144;H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 张玮;王琳 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于生成具有光发射和/或光接收二极管(102)的器件(100)的方法，包括：‑在衬底上生成包括被掺杂的第一半导体层和第二半导体层的层的堆叠；‑进行堆叠的第一蚀刻，形成穿过第二层的整个厚度的第一开口；‑在第一开口中生成覆盖第二层侧壁的介电部分(138)；‑进行堆叠的第二蚀刻，使第一开口延伸直到到达衬底，界定出二极管的p‑n结；‑进行使第一开口延伸进入衬底的一部分中的蚀刻；‑在第一开口中生成第一导电部分(148)，形成二极管的第一电极，以及生成被电连接至第二层的第二电极(150)；‑去除衬底，形成准直栅格(160)。 | ||
| 搜索关键词： | 生成 有光 发射 接收 二极管 器件 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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