[发明专利]绝缘体上鳍片的制造方法在审
| 申请号： | 201911282038.1 | 申请日： | 2019-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN112992681A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 李云芳 | 申请（专利权）人： | 李云芳 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/762 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214500 江苏省泰州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种绝缘体上鳍片的制造方法，包括：在衬底上形成鳍片；在鳍片侧壁上形成侧墙；各向异性刻蚀衬底，在鳍片下方留下底部结构；各向同性刻蚀衬底，减小底部结构宽度；对底部结构执行氧化或氮化工艺，使其转变为绝缘体。依照本发明的绝缘体上鳍片的制造方法，通过特殊的分步刻蚀工艺形成了精细化的鳍片线条，通过氧化或氮化鳍片下部来形成与衬底的良好绝缘隔离，由此提高了器件性能和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘体 上鳍片 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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