[发明专利]一种总剂量效应缺陷模型的确定方法及装置有效
| 申请号： | 201911282086.0 | 申请日： | 2019-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN110968960B | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 张晋新;郭红霞;任迪远;付军;王玉东;潘霄宇;王辉;冯娟 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;G06T17/00 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种总剂量效应缺陷模型的确定方法及装置。该总剂量效应缺陷模型的确定方法包括：构建晶体管三维结构模型；获取初始空穴陷阱电荷参数至晶体管三维结构模型，形成初始辐射缺陷损伤模型；基于晶体管三维结构模型中设定的物理模型和数值求解方法，计算初始辐射缺陷损伤模型的初始归一化过剩基极电流；确定初始归一化过剩基极电流为预设初始归一化过剩基极电流时，根据初始空穴陷阱电荷参数以及预设的每相邻两个辐射剂量点的归一化过剩基极电流之间的比例关系确定不同辐射剂量点对应的空穴陷阱电荷参数，形成不同辐射剂量点下的总剂量效应缺陷模型。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 剂量 效应 缺陷 模型 确定 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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