[发明专利]一种形状记忆嵌入式双层金属网格导电膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201911282157.7 | 申请日： | 2019-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN110838386A | 公开（公告）日： | 2020-02-25 |
| 发明（设计）人： | 冷劲松;刘彦菊;黄信佐;张风华 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;H01B13/00 |
| 代理公司： | 北京隆源天恒知识产权代理事务所(普通合伙) 11473 | 代理人： | 张广宇 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明提供一种形状记忆嵌入式双层金属网格导电膜及其制备方法，属于柔性光电子技术领域，形状记忆嵌入式双层金属网格导电膜的制备方法包括如下步骤：在刚性基底表面制备网格模板；在所述网格模板表面沉积双层金属膜；去除所述网格模板,得到凸起在所述刚性基底表面上的双层金属网格；在所述刚性基底表面涂覆形状记忆聚合物，固化后，所述刚性基底与包裹所述形状记忆聚合物的双层金属网格分离得到形状记忆嵌入式双层金属网格导电膜。与现有技术比较，本发明所制备的形状记忆嵌入式双层金属网格导电膜，具有好的耐刮擦特性、弯曲稳定性、耐腐蚀耐氧化性能和良好的形状记忆性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 形状 记忆 嵌入式 双层 金属 网格 导电 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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