[发明专利]一种钙钛矿太阳电池制备方法及制备装置在审
申请号: | 201911284811.8 | 申请日: | 2019-12-13 |
公开(公告)号: | CN112993080A | 公开(公告)日: | 2021-06-18 |
发明(设计)人: | 刘生忠;王辉;焦玉骁;孙友名;曹越先;段连杰;杜敏永;王开;王立坤;姜箫 | 申请(专利权)人: | 中国科学院大连化学物理研究所 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L51/48 |
代理公司: | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人: | 郑伟健 |
地址: | 116023 辽宁省*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明公开了一种钙钛矿太阳电池制备方法及制备装置。该制备装置包括气体输运系统、反应源供应系统、真空加热沉积系统、尾气处理系统及控制系统。一种钙钛矿太阳电池制备方法,为低压气相沉积方法(lpvd)制备钙钛矿太阳电池功能层和钙钛矿太阳电池。本发明具备以下优点:制备方法及制备装置,相比于溶液法制备钙钛矿太阳电池的手套箱,不需要氮气气氛保护,运行成本低;密闭性好,反应源不会渗漏,对人员和环境友好;可以实现大面积连续化生产。2)本发明中的制备方法及制备装置,相比于真空蒸发法采用固体粉末作为反应源制备钙钛矿太阳电池,采用溶液作为反应源,制备的大面积钙钛矿太阳电池转换效率更高。 | ||
搜索关键词: | 一种 钙钛矿 太阳电池 制备 方法 装置 | ||
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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