[发明专利]衬底、LED及其制造方法有效
| 申请号： | 201911286172.9 | 申请日： | 2019-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN111063773B | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 蒋振宇;闫春辉 | 申请（专利权）人： | 深圳第三代半导体研究院 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 李庆波 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种衬底、LED及其制造方法，该衬底包括：衬底主体，衬底主体的一侧主表面上一体形成有彼此间隔排布且突出于主表面的多个转移支撑结构；转移牺牲层，层叠设置于衬底主体的主表面上，并使得转移支撑结构远离衬底主体的端部外露，其中衬底主体针对特定蚀刻液的耐受度大于转移牺牲层。通过上述方式，本申请提供的衬底能够在后续生成LED单元后通过对转移牺牲层进行蚀刻，而利用转移支撑结构相对于衬底主体悬空支撑LED单元，减小LED单元与衬底之间的附着力，降低分离和转移难度。进一步，上述方式可以提高LED单元在衬底上的排布密度，减少LED芯片面积的损失，降低LED的制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 led 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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