[发明专利]一种大面积金属氧化物纳米阵列的剥离转移方法在审

专利信息
申请号: 201911288794.5 申请日: 2019-12-12
公开(公告)号: CN111056527A 公开(公告)日: 2020-04-24
发明(设计)人: 杨庭强;梁维源;范涛健;张家宜;康建龙;曾永宏;孟思;张斌 申请(专利权)人: 深圳瀚光科技有限公司
主分类号: B82B3/00 分类号: B82B3/00;B82Y40/00;B82Y30/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518027 广东省深圳市龙华区观澜*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供一种金属氧化物纳米阵列的剥离转移方法,包括:(1)选取与金属氧化物晶格常数失配率大于5%且热膨胀系数差异大于5×10‑6K的基底材料;(2)在基底材料的表面预先制备金属氧化物种子层薄膜,其中将退火温度控制在200~500℃;(3)将表面预制有金属氧化物种子层薄膜的基底材料浸入水热前驱体溶液中进行水热反应以在其表面生长一层金属氧化物纳米阵列;(4)将制备的金属氧化物纳米阵列在200~500℃下热处理,实现与基底材料的分离;和(5)将金属氧化物纳米阵列剥离至有机粘结剂或溶胶中,选取目标基底捞取分离的金属氧化物纳米阵列,使其贴附在所述目标基底的表面,然后在200~500℃温度下、空气气氛中进行热处理,除去残余的有机物,从而实现金属氧化物纳米阵列的转移。
搜索关键词: 一种 大面积 金属 氧化物 纳米 阵列 剥离 转移 方法
【主权项】:
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