[发明专利]一种基于过渡金属二硫化物侧面异质结的光子探测器在审
申请号: | 201911290347.3 | 申请日: | 2019-12-16 |
公开(公告)号: | CN111146307A | 公开(公告)日: | 2020-05-12 |
发明(设计)人: | 安义鹏;朱明甫;马传琦;马天里;刘尚鑫;赵永;武大鹏;赵传熙;康军帅;焦照勇 | 申请(专利权)人: | 河南师范大学 |
主分类号: | H01L31/109 | 分类号: | H01L31/109;H01L31/032 |
代理公司: | 新乡市平原智汇知识产权代理事务所(普通合伙) 41139 | 代理人: | 路宽 |
地址: | 453007 河*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于过渡金属二硫化物侧面异质结的光子探测器,属于纳米尺度电子器件技术领域。本发明的技术方案要点为:一种基于过渡金属二硫化物侧面异质结的纳米尺度光子探测器,由具有金属特性的1T相结构的二硫化钒单层与呈现半导体特性的2H相结构的二硫化钼单层组成的单层侧面异质结构成。本发明所述的光子探测器三极管结构超薄,厚度不足4埃,大小尺寸可据实际需要灵活调控定制且功耗较低。本发明具有结构超薄、尺寸可调、蓝光探测效果显著及功耗低等优良特点。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 过渡 金属 二硫化物 侧面 异质结 光子 探测器 | ||
【主权项】:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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