[发明专利]一种单电路双比特移相器有效
| 申请号： | 201911291224.1 | 申请日： | 2019-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN111029686B | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 刘云;刘凌云;邰凡彬 | 申请（专利权）人： | 南京航空航天大学 |
| 主分类号： | H01P1/18 | 分类号： | H01P1/18 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 熊玉玮 |
| 地址： | 211106 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单电路双比特移相器，涉及移相器，属于基本电子电路的技术领域。该单电路双比特移相器的移相单元包含一个90°电桥耦合器和两个双比特四状态加载电抗网络。移相单元中的每一个双比特四状态加载电抗网络为T型结构或平面传输线耦合结构，其中，两段传输线通过开关接地，两个开关的通断可以实现四种阻抗状态。此单电路双比特移相器在中心频率实现四种相位状态。设计的单电路双比特器的移相单元电路中只有一个90°电桥耦合器，与传统双比特数字器比较，该移相器单元具有体积小、损耗低、易加工的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电路 比特 移相器 | ||
【主权项】：
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