[发明专利]SGT器件的工艺方法有效
| 申请号： | 201911291567.8 | 申请日： | 2019-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN111128703B | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 张辉;陈正嵘 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦健 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SGT器件的工艺方法，包含如下的工艺步骤：第一步，在重掺杂的半导体衬底上形成沟槽型栅极，所述的沟槽型栅极是在衬底上形成沟槽，然后淀积一层介质层以及一层衬垫氧化层，然后沉积多晶硅并回刻，形成源极多晶硅；第二步，再次形成一层热氧化层；第三步，采用HDPCVD法再沉积一层氧化层；第四步，移除沟槽上部的衬垫氧化层；第五步，淀积多晶硅并回刻，完成沟槽上部的多晶硅栅极的制作。本发明在常规的热氧化层淀积工艺之后，增加了一步HDPCVD工艺，使热氧化层的上表面更加平整，沟槽拐角区域的过渡更加平滑，不会出现两侧凹陷、尖角等缺陷的情况，不容易导致多晶硅栅极与屏蔽电极之间漏电的情况。 | ||
| 搜索关键词： | sgt 器件 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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