[发明专利]一种新型相变材料Cr-SbTe的干法刻蚀方法在审
| 申请号： | 201911291575.2 | 申请日： | 2019-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN111081871A | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 张楷亮;黄金荣;王芳;李宇翔;王路广;胡凯 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;C23C14/18;C23C14/35;C23C14/58;C23F1/02;C23F1/12 |
| 代理公司： | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人： | 刘书元 |
| 地址： | 300384 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种新型相变材料Cr‑SbTe的干法刻蚀方法，用于相变存储器限域结构的制备，属于半导体存储器中的工艺领域。该方法主要包括以下步骤：a、在氧化硅衬底上采用磁控溅射生长Cr‑SbTe合金薄膜；b、利用紫外光刻技术在薄膜表面形成2um宽度条形光刻胶掩膜；c、采用混合气体对合金薄膜进行刻蚀；d、刻蚀后样品置于丙酮中去除光刻胶，用于测试和表征。该刻蚀方法采用SF |
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| 搜索关键词： | 一种 新型 相变 材料 cr sbte 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
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