[发明专利]一种基于边缘场检测的二维EIT电极阵列结构优化方法有效

专利信息
申请号: 201911292494.4 申请日: 2019-12-12
公开(公告)号: CN110840457B 公开(公告)日: 2020-11-13
发明(设计)人: 孙江涛;梁小凤;徐立军;田文斌;谢跃东 申请(专利权)人: 北京航空航天大学
主分类号: A61B5/053 分类号: A61B5/053;A61B5/20
代理公司: 北京永创新实专利事务所 11121 代理人: 冀学军
地址: 100191*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种基于边缘场检测的二维EIT电极阵列结构优化方法,涉及电阻抗层析成像技术在膀胱尿量监测领域。首先针对膀胱功能障碍患者,在该患者的膀胱底面往上距离h的位置,在人体周身表面设置n个电极,电极覆盖的弧长占人体周长的比例为α;然后按照初始值距离h,电极n以及比例α,将各电极布置在该膀胱功能障碍患者身上,构建重建图像计算该患者的膀胱体积。分别对比例α,电极个数n和距离h进行优化,最后按照最优的最优距离h',电极个数n'和比例α'对膀胱功能障碍患者身上的实际电极进行调整,并实时监测重建图像,计算该患者的膀胱体积。当患者的膀胱体积达到设定的阈值时,对患者进行预警。本发明针对性的提高了膀胱区域灵敏度,并提出相应的评价指标。
搜索关键词: 一种 基于 边缘 检测 二维 eit 电极 阵列 结构 优化 方法
【主权项】:
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