[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201911292896.4 | 申请日： | 2019-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN111354779B | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | 寺岛知秀;香川泰宏;田口健介 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336;H01L27/06 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。提供用于在具有电压感测构造的半导体装置中对寄生晶体管的动作进行抑制的技术。半导体装置具有半导体层(2)、第一杂质区域(3A)、第二杂质区域(3B)、第一半导体区域(4A)、第二半导体区域(4B)、第一电极(6)、第二电极(S1)、第三电极(S2)，第二杂质区域至少在第二半导体区域的下方具有低寿命区域(1000)，该低寿命区域(1000)是具有比第二杂质区域的表层的缺陷密度高的缺陷密度的区域或扩散了重金属的区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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