[发明专利]一种制备高导电性铜互连线的方法在审
| 申请号： | 201911293091.1 | 申请日： | 2019-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN111146144A | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 陈张发;曾绍海 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528;H01L23/532 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;马盼 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备高导电性铜/石墨烯复合互连线的方法，包括如下步骤：S01：在介质层中刻蚀通孔；S02：在所述通孔中依次沉积铜阻挡层和铜籽晶层；S03：在所述铜籽晶层上生长铜，形成位于所述通孔中的铜互连层；S04：将石墨烯前驱体注入所述铜互连层中，从而在通孔中形成铜/石墨烯复合互连线。本发明提供的一种制备高导电性铜/石墨烯复合互连线的方法，该方法基于成熟的铜互连工艺，形成铜/石墨烯复合互连线，可以有效解决随着技术节点向下延伸，互连线中铜电阻变大，无法达到芯片对其导电性要求的问题；并且石墨烯在铜晶界表面生成，可以有效保护金属铜，避免铜被氧腐蚀，延长复合互连线使用寿命，减少不必要的电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 导电性 互连 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
