[发明专利]含有Mo、W和Se的合金和相关复杂异质结及其制备方法有效
申请号: | 201911294395.X | 申请日: | 2019-12-16 |
公开(公告)号: | CN111005005B | 公开(公告)日: | 2022-02-15 |
发明(设计)人: | 袁小明;方龙;陶少华;周易瑾 | 申请(专利权)人: | 中南大学 |
主分类号: | C23C16/30 | 分类号: | C23C16/30;C23C16/455;C23C16/52 |
代理公司: | 长沙智路知识产权代理事务所(普通合伙) 43244 | 代理人: | 曲超 |
地址: | 410083 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明涉及一种含有Mo、W和Se的合金和相关复杂异质结及其制备方法,该制备方法包括如下步骤:1)将氧化钼、氧化钨研磨并混合均匀得到混合原料;2)将硒粉置于管式炉中的第一温区,混合原料置于管式炉中的第二温区,清洗过的衬底置于混合原料的末端;3)抽取空气使管式炉内达到真空,然后向其通入惰性气体至内压强达到常压;4)加热第一温区和第二温区,在加热过程中向所述管式炉中通入氩氢混合气体,第一温区和第二温区同时分别达到270℃~420℃和800℃~940℃后生长一段时间,获得含有Mo、W和Se的合金及相关垂直或横向异质结。本发明的制备方法不需要频繁的变换气路,降低了实验的复杂程度。 | ||
搜索关键词: | 含有 mo se 合金 相关 复杂 异质结 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的