[发明专利]压接式IGBT子模组结构和压接式IGBT器件在审
| 申请号： | 201911297315.6 | 申请日： | 2019-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN112992795A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 李寒;石廷昌;常桂钦;李亮星;董国忠;张文浩 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/10 | 分类号： | H01L23/10;H01L23/58;H01L25/07 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;何娇 |
| 地址： | 412001 湖南省株洲市石峰*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种压接式IGBT子模组结构和压接式IGBT器件，所述压接式IGBT子模组结构包括依次层叠设置的框体结构、IGBT芯片组件、电路旁路结构、碟簧组件和管盖，所述电路旁路结构分别与所述IGBT芯片组件和所述框体结构抵接，所述管盖和所述电路旁路结构之间具有间隙，所述碟簧组件使所述管盖具有背离所述电路旁路结构的方向运动的趋势，当对所述管盖施加朝向所述电路旁路结构方向的力时，所述管盖能够朝向所述电路旁路结构的方向移动，并能够与所述电路旁路结构相抵。本发明组装方便，能够节省封装空间，提升流通能力。 | ||
| 搜索关键词： | 压接式 igbt 模组 结构 器件 | ||
【主权项】：
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