[发明专利]基于氧化锆和氧化镧的透明薄膜晶体管器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201911299226.5 | 申请日： | 2019-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN111129160B | 公开（公告）日： | 2023-10-13 |
| 发明（设计）人： | 方欲晓;赵春;赵策洲;杨莉 | 申请（专利权）人： | 西交利物浦大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/51;H01L21/445;H01L21/34 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 范晴;丁浩秋 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于氧化锆和氧化镧的透明薄膜晶体管器件，包括从下到上依次设置的导电玻璃衬底、介电层、半导体层、上金属电极，所述上金属电极包括源电极和漏电极，所述介电层材料为氧化锆和氧化镧的混合氧化物。采用溶液法制备TFT的绝缘层和半导体层，实现低成本大面积的TFT制备，设备和原料投资较少；在工艺上与传统工艺兼容，能有效控制了制备成本。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 氧化锆 氧化 透明 薄膜晶体管 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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