[发明专利]基于自燃烧法的双元高介电常数绝缘层的制备方法在审
| 申请号： | 201911299283.3 | 申请日： | 2019-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN111128748A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 刘启晗;赵春;赵策洲;杨莉 | 申请（专利权）人： | 西交利物浦大学 |
| 主分类号： | H01L21/445 | 分类号： | H01L21/445;H01L29/51;H01L29/786;H01L21/34 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 范晴;丁浩秋 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于自燃烧法的双元高介电常数绝缘层的制备方法，包括：在衬底上旋涂双元高介电常数绝缘层前驱体源，前驱体源为硝酸盐或氯化盐与乙酰丙酮盐的2‑巯基乙醇、乙醇或水溶液；在空气中进行预退火处理，退火时间为10‑60min，退火温度为80‑300℃；进行后退火处理，在200℃‑300℃的空气中进行后退火处理或进行1‑60min的深紫外光处理或紫外臭氧处理，得到自燃烧双元高介电常数绝缘层。通过创新性的自燃烧法制备出的双元高介电常数绝缘层具有及其优良的电学性能以及较低的工艺成本。基于此高性能双元高介电常数绝缘层的金属氧化物薄膜晶体管具有优良的电学性能以及低至1V的工作电压，且制备温度极低。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 燃烧 双元高 介电常数 绝缘 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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