[发明专利]一种高择优取向NiMnGa磁记忆合金丝的制备方法有效
| 申请号： | 201911300081.6 | 申请日： | 2019-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN110923510B | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 董桂馥;郭正阳;张倩倩;姜春晖;刘慧孜 | 申请（专利权）人： | 大连大学 |
| 主分类号： | C22C19/03 | 分类号： | C22C19/03;C22C1/02;B21J1/06;B21J5/02 |
| 代理公司： | 大连智高专利事务所(特殊普通合伙) 21235 | 代理人： | 胡景波 |
| 地址： | 116622 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明属于合金制备技术领域，公开了一种高择优取向NiMnGa磁记忆合金丝的制备方法。用纯度为99.99％的镍片，99.95％的电解锰片，99.9999％的镓为原料，采用感应熔炼炉在氩气的保护气氛下制备试样；待其冷却取出，经自由锻造后得到锻造方坯；1100‑1200℃用锻造模具锻得直径为Φ4mm的棒材原料，即得到NiMnGa磁记忆合金丝的原料棒；将获得的NiMnGa磁形状记忆合金原料棒和一端封闭的石英玻璃管b依分别次放入丙酮、无水乙醇、蒸馏水中超声，取出干燥备用，打开线性步进电机，制得NiMnGa磁记忆合金丝。本发明制备的NiMnGa磁记忆合金丝在44.2℃和64.02℃两个角度出现择优取向。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 择优取向 nimnga 记忆 合金丝 制备 方法 | ||
【主权项】：
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