[发明专利]硅鳍片结构的修整方法在审
| 申请号： | 201911301030.5 | 申请日： | 2019-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN111326411A | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 许富翔;宋建宏 | 申请（专利权）人： | 许富翔;宋建宏 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 | 代理人： | 张雅军;史瞳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： |
一种硅鳍片结构的修整方法，包含以下步骤：(a)在基材上形成硅鳍片结构；及(b)使所述硅鳍片结构与极性溶液接触，以使所述硅鳍片结构的(100)晶面的蚀刻速率与(111)晶面的蚀刻速率的比值范围不大于2.5、(110)晶面的蚀刻速率与(111)晶面的蚀刻速率的比值范围不大于2.5，以及(100)晶面的蚀刻速率与(110)晶面的蚀刻速率的比值范围介于0.9至1.1，所述极性溶液包括四级铵氢氧化物、水及极性有机溶剂，所述极性有机溶剂是选自于二甲基亚砜、环丁砜、四氢呋喃、N‑甲基 |
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| 搜索关键词： | 硅鳍片 结构 修整 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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