[发明专利]一种铜基氟化石墨烯耐蚀薄膜及其原位制备方法与应用

摘要

本发明公开了一种铜基氟化石墨烯耐蚀薄膜及其原位制备方法与应用。所述原位制备方法包括：提供铜基底并置于化学气相生长设备的反应室内，再向所述反应室内通入碳源气体和氢气，通过化学气相沉积法在所述铜基底表面生长形成石墨烯层；之后向所述反应室内通入氟气和载气，从而对所述石墨烯层进行原位氟化刻蚀处理，获得铜基氟化石墨烯耐蚀薄膜。本发明的制备方法简单且安全性好，同时可以通过改变反应温度、时间、压力等条件来调整铜基氟化石墨烯薄膜中氟元素的含量及碳‑氟键成键类型。本发明的铜基氟化石墨烯耐蚀薄膜具有氟化均匀，质量高、耐蚀性能周期长等优点，同时可服役于海洋等严苛环境，适用于工业化推广使用。