[发明专利]一种钽掩模的制备方法有效
| 申请号： | 201911302722.1 | 申请日： | 2019-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN111009462B | 公开（公告）日： | 2022-11-15 |
| 发明（设计）人： | 高建峰;李俊杰;刘卫兵;李俊峰;王文武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京天达知识产权代理事务所有限公司 11386 | 代理人： | 杨光 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种钽掩模的制备方法，属于微电子制造技术领域，解决了现有技术中制备65nm或更小尺寸的MTJ单元需要配合较薄的钽硬掩模层，但钽膜层需要有足够的厚度来完成MTJ的完全刻蚀的矛盾，以及实际MTJ尺寸大于光刻尺寸的问题。一种钽掩模的制备方法，包括以下步骤：步骤1.在基体上依次形成钽掩模、SOC和SOG；步骤2.将图案通过光刻工艺转移到SOG的顶部；步骤3.刻蚀SOG；步骤4.刻蚀SOC；步骤5.去除SOG；步骤6.利用SOC做掩模刻蚀钽掩模。本发明满足小尺寸MTJ单元的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 钽掩模 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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