[发明专利]一种双面对称钝化硅片表面复合电流密度分布的测试方法有效
| 申请号： | 201911304205.8 | 申请日： | 2019-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN113075172B | 公开（公告）日： | 2023-01-03 |
| 发明（设计）人： | 李硕;杨慧;邓伟伟;蒋方丹 | 申请（专利权）人： | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/64 | 分类号： | G01N21/64;G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 215129 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种双面对称钝化硅片表面复合电流密度分布的测试方法。所述测试方法包括如下步骤：制备双面对称钝化硅片，测试厚度和平均反射率；在一系列不同强度的光照条件下，测试双面对称钝化硅片的待测区域的过剩载流子浓度Δn和平均发光强度PL，根据Δn计算得出iVoC值；建立iVoc与ln(PL)之间的线性关系式iVoc＝a·ln(PL)+b；光照双面对称钝化硅片，测试任一区域的发光强度PL |
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| 搜索关键词： | 一种 双面 对称 钝化 硅片 表面 复合 电流密度 分布 测试 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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