[发明专利]一种发光二极管有效
| 申请号： | 201911304268.3 | 申请日： | 2019-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN112993115B | 公开（公告）日： | 2022-12-27 |
| 发明（设计）人： | 闫春辉;蒋振宇 | 申请（专利权）人： | 深圳第三代半导体研究院 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/24;H01L33/20 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 李庆波 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种发光二极管，包括：衬底；发光外延层，包括依次层叠设置于衬底上的第一半导体层、有源发光层以及第二半导体层；第一电极和第二电极，分别与第一半导体层和第二半导体层电连接。第一电极和第二电极在衬底上的投影彼此错开，发光外延层的至少部分发光区域内的任意一发光点在衬底上的投影与第一电极在衬底上的投影和第二电极在衬底上的投影的最短间隔距离之和不大于80微米，发光外延层的有效发光面积与总面积之间的比例不大于72％，且第一半导体层和第二半导体层均是采用基于氮化铟镓体系的材料。通过上述方式，本申请能够有效改善电流分布的均匀性，进而提升发光二极管的流明密度和流明效率，降低流明成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 | ||
【主权项】：
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