[发明专利]一种阻变存储器单元及阵列结构有效
| 申请号： | 201911306581.0 | 申请日： | 2019-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN111146236B | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 郭奥 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H10B63/00 | 分类号： | H10B63/00 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;张磊 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种阻变存储器单元结构，包括：相连的第一晶体管和第一阻变单元，相连的第二晶体管和第二阻变单元，第一晶体管与第二晶体管相并联；第一晶体管的第一栅极连接第一字线，第一源极连接第一源线，第一漏极通过第一阻变单元连接第一位线；第二晶体管的第二栅极连接第二字线，第二源极连接第二源线，第二漏极通过第二阻变单元连接第二位线。本发明的阻变存储器单元结构为由两个1T1R单元并联组成的高密度2T2R存储单元，可在同等单元和阵列面积的基础上将存储容量提升一倍，并能实现一位或两位数据操作，具有非常高的操作灵活性，在人工智能、存算一体以及类脑芯片等领域具有非常重要的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储器 单元 阵列 结构 | ||
【主权项】：
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