[发明专利]一种阻变存储器单元结构及制备方法有效
| 申请号： | 201911306582.5 | 申请日： | 2019-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN111146237B | 公开（公告）日： | 2023-09-26 |
| 发明（设计）人： | 郭奥 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H10B63/00 | 分类号： | H10B63/00;H10N70/20;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;张磊 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种阻变存储器单元结构，由相并联的一第一晶体管和一第二晶体管，以及与所述第一晶体管和所述第二晶体管共同连接的一阻变单元组成；其中，所述第一晶体管设有第一栅极、第一源极和第一漏极，所述第一栅极用于施加第一控制信号，所述第一源极用于施加第一源信号；所述第二晶体管设有第二栅极、第二源极和第二漏极，所述第二栅极用于施加第二控制信号，所述第二源极用于施加第二源信号；所述第一漏极与所述第二漏极连接，并共同连接所述阻变单元的一端，所述阻变单元的另一端用于施加位信号。本发明利用传统的1T1R单元面积制备2T1R单元结构，可同时兼顾阻变单元的各种不同操作电压需求，从而实现单元性能的显著提升。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储器 单元 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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