[发明专利]一种基于磁控溅射的在铌酸锂基片上的钛酸锶钡成膜方法有效
| 申请号： | 201911307177.5 | 申请日： | 2019-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN111020506B | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 张辉;毛飞龙;殷国栋;倪中华 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06;C23C14/10;C23C14/18;C23C14/02;C23C14/58 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 蓝霞 |
| 地址： | 210096 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于薄膜制备技术领域，具体涉及一种基于磁控溅射的在铌酸锂基片上的钛酸锶钡成膜方法。包括如下步骤：将待溅射铌酸锂基片移入真空室室内并放置于样品座上；将真空室内的靶材的角度调整到预设角度，调节靶材到基板的距离到预设距离；对真空室进行抽真空，到达本底真空；通入氧气和氩气，在基片上溅射二氧化硅；在氩气环境下，打开直流电源在基片上溅射金属钛；在氩气环境下，打开直流电源在基片上溅射金属铂；将基片加热至400摄氏度后，在氧气和氩气条件下，打开射频电源在基片上溅射钛酸锶钡；完成步骤70后，加热基片至650摄氏度，在氧气环境下退火。本发明不仅简化了步骤并且节约了成本；且钛酸锶钡薄膜结晶效果良好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 磁控溅射 铌酸锂基片上 钛酸锶钡成膜 方法 | ||
【主权项】：
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