[发明专利]一种半导体芯片清洗方法在审
申请号: | 201911307547.5 | 申请日: | 2019-12-18 |
公开(公告)号: | CN111063609A | 公开(公告)日: | 2020-04-24 |
发明(设计)人: | 王青松 | 申请(专利权)人: | 武汉百臻半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 湖北天领艾匹律师事务所 42252 | 代理人: | 程明 |
地址: | 430000 湖北省武汉市中国(湖北)自*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种半导体芯片清洗方法,本发明具体包括以下步骤:S1、清洗用品的准备,S2、前期清洗准备和规划,S3、一次超声清洗,S4、二次超声清洗,S5、化学试剂涮洗,S6、兆声清洗处理,S7、烘干收集处理,本发明涉及半导体生产技术领域。该半导体芯片清洗方法,可实现的在进行大批量清洗时,对每槽清洗液中的配比、清洗芯片的片数以及清洗时间进行合理规划,很好的达到了通过对大批量半导体芯片的整体规划清洗,来实现既快速又清洗彻底的目的,大大提高了清洗效果,不仅适用于小批量半导体芯片的清洗,而且对于大批量半导体芯片的分批次清洗也适用,提高了清洗效率,从而大大方便了半导体芯片生产企业的芯片清洗。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体 芯片 清洗 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造