[发明专利]一种半导体芯片清洗方法在审

专利信息
申请号: 201911307547.5 申请日: 2019-12-18
公开(公告)号: CN111063609A 公开(公告)日: 2020-04-24
发明(设计)人: 王青松 申请(专利权)人: 武汉百臻半导体科技有限公司
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02
代理公司: 湖北天领艾匹律师事务所 42252 代理人: 程明
地址: 430000 湖北省武汉市中国(湖北)自*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种半导体芯片清洗方法,本发明具体包括以下步骤:S1、清洗用品的准备,S2、前期清洗准备和规划,S3、一次超声清洗,S4、二次超声清洗,S5、化学试剂涮洗,S6、兆声清洗处理,S7、烘干收集处理,本发明涉及半导体生产技术领域。该半导体芯片清洗方法,可实现的在进行大批量清洗时,对每槽清洗液中的配比、清洗芯片的片数以及清洗时间进行合理规划,很好的达到了通过对大批量半导体芯片的整体规划清洗,来实现既快速又清洗彻底的目的,大大提高了清洗效果,不仅适用于小批量半导体芯片的清洗,而且对于大批量半导体芯片的分批次清洗也适用,提高了清洗效率,从而大大方便了半导体芯片生产企业的芯片清洗。
搜索关键词: 一种 半导体 芯片 清洗 方法
【主权项】:
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