[发明专利]一种高质量砷化镉薄膜的制备方法

摘要

本发明涉及一种高质量砷化镉薄膜的制备方法，该方法包括以下步骤：1)采用分子束外延技术，先在衬底上生长一层碲化镉缓冲层，之后在碲化镉缓冲层上生长砷化镉薄膜；2)采用原子层沉积技术，在步骤1)中的砷化镉薄膜上生长一层氧化铝覆盖层；3)采用快速退火技术，在0.5‑3min内将温度升高至550‑650℃并保持3‑7min，之后降至室温，得到高质量砷化镉薄膜。与现有技术相比，本发明采用原子层沉积技术和快速退火技术提高了砷化镉薄膜的晶体质量，衬底处理工艺简单，对设备要求低，可以获得更高质量、更高迁移率的晶圆级单晶砷化镉薄膜。