[发明专利]一种带高阶补偿电路的基准源电路结构有效
| 申请号： | 201911312751.6 | 申请日： | 2019-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN110989758B | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 王红义;王竞成;张海峰;刘沛;张国和 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学;北京智芯微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/567 | 分类号： | G05F1/567 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 孟大帅 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种带高阶补偿电路的基准源电路结构，包括：pnp型三极管Q1、Q2、Q3、Q4、Q5，p型MOS管M1、M2、M3、M4、M5、M6、M7、M8，n型MOS管M9，M10，电阻R1、R2、R3，以及单端输出运放A1；p型MOS管M1、M2、M3，单端输出运放A1，电阻R1，以及pnp型三极管Q1、Q2、Q3、Q4构成正温度系数电流产生电路，用于产生包含一阶项和高阶项的电流；其中，Q1并联在Q2上，Q3并联在Q4；p型MOS管M5、M6、M7、M8、M9、M10，电阻R3，以及pnp型三极管Q5构成零温度系数电流产生电路，用于为Q3提供电流偏置；p型MOS管M4，电阻R2，以及pnp型三极管Q5构成输出支路，用于输出基准电压。本发明的结构设计简便且温度系数较低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 带高阶 补偿 电路 基准 结构 | ||
【主权项】：
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