[发明专利]应变补偿型量子级联探测器有效
申请号: | 201911313339.6 | 申请日: | 2019-12-17 |
公开(公告)号: | CN110993709B | 公开(公告)日: | 2021-08-20 |
发明(设计)人: | 黎昆;刘舒曼;朱怡璇;刘俊岐;翟慎强;王利军;张锦川;卓宁;刘峰奇;王占国 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/0304;H01L31/109;H01L31/111 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 吴梦圆 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本公开提供一种应变补偿型量子级联探测器,包括:衬底;下接触层,外延生长于衬底之上;周期性应变补偿量子级联功能层,外延于下接触层之上,包括多个级联周期;上接触层,外延于周期性的应变补偿量子级联功能层之上;下接触电极,位于刻蚀上接触层和周期性应变补偿量子级联功能层结构而露出的下接触层表面;以及上接触电极,位于上接触层的表面;其中,每个所述级联周期由下至上包括:吸收区和弛豫区;所述吸收区为与衬底晶格匹配的材料;所述弛豫区包括多层交替的应变补偿的势垒层和势阱层组成多量子阱结构,均为与衬底晶格不匹配的材料。 | ||
搜索关键词: | 应变 补偿 量子 级联 探测器 | ||
【主权项】:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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