[发明专利]一种三维堆叠存储芯片结构及其封装方法在审
| 申请号： | 201911314135.4 | 申请日： | 2019-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN111106123A | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 姚大平 | 申请（专利权）人： | 江苏中科智芯集成科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11551 | 分类号： | H01L27/11551;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人： | 张东梅 |
| 地址： | 221000 江苏省徐州市经济技*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种三维堆叠存储芯片结构，包括第一叠加芯片模块；与所述第一叠加芯片模块电连接的重布线层；贴装于重布线层表面的第二叠加芯片模块；以及与所述重布线层及所述第二叠加芯片模块电连接的外接焊球。其中，芯片叠加模块包括错位粘接的两个芯片、包覆芯片的塑封层以及贯穿塑封层，与芯片焊盘电连接的导电通道。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维 堆叠 存储 芯片 结构 及其 封装 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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