[发明专利]NAND存储器的栅极结构形成方法、NAND存储器及光罩掩膜版在审
| 申请号： | 201911314216.4 | 申请日： | 2019-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN111106001A | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 许鹏凯;乔夫龙;王一 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423;H01L27/11524;H01L27/11521;H01L27/1157;H01L27/11568 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 张彦敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及NAND存储器的栅极结构形成方法、NAND存储器及光罩掩膜版，涉及半导体集成电路制造工艺，在NAND存储器的栅极结构形成过程中，通过第一道光刻曝光工艺在形成用于形成控制栅极结构的芯轴图形形貌的同时，也形成用于形成外围栅极结构和选择栅极结构的芯轴图形形貌，之后在通过第二道光刻曝光工艺将芯轴图形结构移除的过程中，将用于形成外围栅极和选择栅极结构的区域用光刻胶进行保护以移除控制栅极芯轴膜层，在接下来的栅极结构的刻蚀中，控制栅极通过剩余的侧墙形成，而外围栅极和选择栅极则通过侧墙以及未移除的芯轴图形结构来共同形成，这使得用于形成控制栅极最外围的侧墙关键尺寸不会较大，且削弱层间套准偏差对后续工艺的影响。 | ||
| 搜索关键词： | nand 存储器 栅极 结构 形成 方法 光罩掩膜版 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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