[发明专利]一种氮化铝膜及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201911316118.4 | 申请日： | 2019-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN111048403A | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 徐孝灵;黄小辉;王小文;康建;郑远志;陈向东 | 申请（专利权）人： | 马鞍山杰生半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L33/00;H01L33/12 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 朱颖;刘芳 |
| 地址： | 243000 安徽省马*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种氮化铝膜及其制备方法和应用。本发明提供了一种氮化铝膜的制备方法，包括以下步骤：步骤1、在衬底上生长具有孔状结构的氮化硅层；步骤2、将氮化硅层放入设备反应室中，控制反应室温度为600‑1000℃，压力为20‑200mbar，在氮化硅层表面生长氮化铝缓冲层；步骤3、控制反应室的温度为1100‑1500℃，压力为20‑200mbar，在氮化铝缓冲层表面生长氮化铝层。通过本发明提供的制备方法，极大地湮灭氮化铝在生长过程中出现的线缺陷以及位错，获得低缺陷浓度、高晶体质量的氮化铝层，同时避免了后续将氮化铝层与衬底进行机械剥离时可能产生机械损伤的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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