[发明专利]晶圆处理方法及装置在审
| 申请号： | 201911316277.4 | 申请日： | 2019-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN111029270A | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | 董博轩;郭恺辰 | 申请（专利权）人： | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;刘伟 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种晶圆处理方法及装置，属于半导体技术领域。晶圆处理方法，包括：将表面形成有绝缘膜的晶圆置于掺杂有钠离子的电解液中作为电解阴极，所述晶圆表面的部分绝缘膜被去除；将铜板置于所述电解液中作为电解阳极；向所述电解阳极和所述电解阴极施加电信号，铜离子在所述晶圆的COP缺陷处还原为铜，根据还原出的铜检测所述晶圆表面的COP缺陷。本发明能够准确高效地确定晶圆的COP缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
