[发明专利]一种半导体器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201911317194.7 | 申请日： | 2019-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN111129112B | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 殷华湘;张青竹;徐忍忍 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人： | 王胜利 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件的制备方法，包括以下步骤：提供第一衬底和第二衬底；其中，第一衬底具有第一键合互连面，第二衬底具有第二键合互连面；在第一衬底上制备单晶叠层结构；其中，单晶叠层结构包括若干交替堆叠的异质材料层和第二衬底层；在第一衬底上制备若干纳米线或片；在若干纳米线或片上形成栅极介质层和栅极；形成金属接触；在已形成的结构上形成若干层互连结构；在若干层互连结构上依次形成金属衬垫和钝化层。本制备方法形成的沟道材料，不会存在晶格缺陷，可避免影响后续形成器件的性能和可靠性，且不会对后续结构的形成工艺造成限制；具有良好的适用性。本发明还提供了一种半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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