[发明专利]一种修复薄膜晶体管阵列基板静电击伤的结构和方法在审
| 申请号： | 201911317482.2 | 申请日： | 2019-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN111048528A | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 柳发霖;张泽鹏;马亮 | 申请（专利权）人： | 信利（仁寿）高端显示科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 许青华 |
| 地址： | 620500 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种修复薄膜晶体管阵列基板静电击伤的结构和方法，所述薄膜晶体管阵列基板包括衬底层以及依次设置于所述衬底层上的栅极层、半导体层和源漏极层，其中所述半导体层有静电击伤位置，所述方法包括在所述静电击伤位置填补绝缘材料。本发明中，在所述静电击伤位置填补绝缘材料，解决半导体层受静电击伤后，对产品性能的影响，这种修复方式快速、方便、成本低，保证了薄膜晶体管阵列基板功能的正常。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 修复 薄膜晶体管 阵列 静电 击伤 结构 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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