[发明专利]一种边发射激光器及其制备方法在审
| 申请号： | 201911318170.3 | 申请日： | 2019-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN111048994A | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 田宇 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361001 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供的边发射激光器及其制备方法，首先，通过在所述衬底表面依次堆叠的N型限制层、波导层、量子阱、对称波导层及P型限制层；所述波导层包括若干个依次堆叠的子波导层；所述对称波导层包括依次堆叠的第一对称波导层、高能带限流波导层、能带渐变波导层、第二对称波导层。通过在所述第一对称波导层和第二对称波导层中插入所述高能带限流波导层和能带渐变波导层，所述高能带限流波导层用于限制所述第一对称波导层的载流子溢流；所述能带渐变波导层的能带沿第一方向自下而上逐渐降低，用于减小所述高能带限流波导层与所述第二对称波导层的能带差。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发射 激光器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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