[发明专利]一种基于ZnMgO的无源阵列阻变存储器及其制备方法在审
| 申请号： | 201911318274.4 | 申请日： | 2019-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN110943162A | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 戴丽萍;白进宝;张国俊;钟志亲;王姝娅 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C13/00 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 宋辉 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于ZnMgO的无源阵列阻变存储器及其制备方法，从下到上依次包括衬底、绝缘底层、ZnMgO忆阻层、Al位线电极、绝缘层、Al字线电极，Al位线电极和Al字线电极十字交叉设置，并且均与ZnMgO忆阻层相接触。本发明的忆阻器的结构和制备方法相结合，得到的存储器的集成度更高，可微缩至纳米尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 znmgo 无源 阵列 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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