[发明专利]一种高频DRAM的上升沿触发脉冲生成器及方法有效
| 申请号： | 201911320674.9 | 申请日： | 2019-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN111010148B | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 马军亮 | 申请（专利权）人： | 西安紫光国芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H03K3/64 | 分类号： | H03K3/64 |
| 代理公司： | 西安佩腾特知识产权代理事务所(普通合伙) 61226 | 代理人： | 张倩 |
| 地址： | 710075 陕西省*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提出一种高频DRAM的上升沿触发脉冲生成方法及电路，相邻的相差90度相位的次级时钟的上升沿触发形成脉冲信号进行数据传输。所述电路，包括四个并列的脉冲生成模块：脉冲生成模块：将两个相差90度相位的次级时钟信号的上升沿触发形成脉冲信号。本发明的好处是采用四相位的分频时钟来分别通过上升沿触发的脉冲来产生数据，从而避免时钟占空比对DRAM数据眼的影响，达到提升DRAM数据眼的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高频 dram 上升 触发 脉冲 生成器 方法 | ||
【主权项】：
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