[发明专利]光电二极管阵列在审
申请号: | 201911322697.3 | 申请日: | 2019-12-20 |
公开(公告)号: | CN111354753A | 公开(公告)日: | 2020-06-30 |
发明(设计)人: | 吉兰姆·费齐特;伊莉莎白·史毕区里 | 申请(专利权)人: | 弗莱克英纳宝有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 | 代理人: | 史瞳;許榮文 |
地址: | 英国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种方法,所述方法包括在支撑膜上形成界定光电二极管阵列的第一层堆叠体;在原位形成于所述支撑膜上的所述第一层堆叠体之上形成第二层堆叠体,所述第二层堆叠体界定了电路,通过所述电路,能够经由所述光电二极管阵列外部的导体阵列独立地检测每个光电二极管的光响应;其中形成所述第一层堆叠体包括在第一电极上沉积有机半导体材料,并且在所述有机半导体材料上沉积第二电极,其中所述电路包括具有光敏半导体通道的晶体管,并且所述第二电极还起到实质上阻挡光从所述支撑膜的方向入射到所述光敏半导体通道上的作用。 | ||
搜索关键词: | 光电二极管 阵列 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的