[发明专利]光电二极管阵列在审

专利信息
申请号: 201911322697.3 申请日: 2019-12-20
公开(公告)号: CN111354753A 公开(公告)日: 2020-06-30
发明(设计)人: 吉兰姆·费齐特;伊莉莎白·史毕区里 申请(专利权)人: 弗莱克英纳宝有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 代理人: 史瞳;許榮文
地址: 英国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种方法,所述方法包括在支撑膜上形成界定光电二极管阵列的第一层堆叠体;在原位形成于所述支撑膜上的所述第一层堆叠体之上形成第二层堆叠体,所述第二层堆叠体界定了电路,通过所述电路,能够经由所述光电二极管阵列外部的导体阵列独立地检测每个光电二极管的光响应;其中形成所述第一层堆叠体包括在第一电极上沉积有机半导体材料,并且在所述有机半导体材料上沉积第二电极,其中所述电路包括具有光敏半导体通道的晶体管,并且所述第二电极还起到实质上阻挡光从所述支撑膜的方向入射到所述光敏半导体通道上的作用。
搜索关键词: 光电二极管 阵列
【主权项】:
暂无信息
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